2、非平衡状态pn结能带图：施加偏压V后，能带整体抬升（正偏压V>0）或下降（反偏压V<0），费米能级由相等变为相差qV。 E_{Fn} 在n型中性区、空穴扩散区以及势垒区，准费 …

Jul 3, 2023 · pn结中，正电荷和负电荷总体是相等的，整体还是电中性。 在耗尽层（也叫空间电荷区），自由电子和空穴复合，基本没有自由移动的电荷了，只剩下离子区，N区那边是正离子 …

当pn结正向偏置时，即给pn结加由p区指向n区的 正向电压 ，那么这个电压所产生的 电场 就会抵消内部电场（方向跟内部电场相反），（电压所产生的电场）同时导致远离电荷区的p区空穴和n …

Jan 6, 2021 · 针对pn结我想先说下课本中没有讲明白的几点. 1，空穴本身不存在，是自由电子挣脱束缚形成的，所以内建电场什么多子少子扩散其实还是电子从n区边界扩散到p区边界，那么n …

是指pn结中在漂移运动和扩散运动双重影响下载流子的数量非常少的一个高电阻区域。 在室温附近，对绝大部分的势垒区，其中杂质虽然都已经电离，但是这里面载流子的浓度相比起n区和p区 …

当pn结形成的时候，p型半导体和n型半导体直接接触。之前曾经讲过热平衡时同一块半导体材料会具有统一的费米能级，所以当pn结形成时，半导体的能带会发生弯曲，使得p型和n型半导体 …

pn结正向偏压下，扩散运动并没有增强，是漂移运动被削弱了，所以原本与漂移运动相等的扩散运动相对大，产生了净的扩散运动；耗尽层的形成是跟扩散运动有直接的关系，但是有净扩散运 …

以硅pn结为例。 p区为掺了3族元素的半导体硅。在常温下，p区的能自由移动的带正电荷的空穴浓度与掺杂的3族元素（例如铝）浓度相等，而每一个空穴对应一个带负电荷的铝离子，铝离子 …

pn结里面有两种运动：扩散运动和漂移运动。 扩散运动是由于掺杂的的杂质的浓度差产生的运动。 把P型和N型放到一起时，它们的交界面，由于两种载流子的浓度差很大，P区的空穴向N区扩 …

Apr 6, 2021 · 这个理解很有逻辑性，只是忽略了一个点，那就是：外部电源会源源不断的，从pn结两侧补充载流子，扩散掉多少就补偿多少。所以，导通后，耗尽层宽度不变，内建电场也不变。