
HBM | DRAM - Samsung Semiconductor Global
Samsung's HBM (High Bandwidth Memory) solutions have been optimized for high-performance computing (HPC), and offer the performance needed to power next-generation technologies, …
HBM | DRAM | 삼성반도체 - Samsung Semiconductor Global
폭넓은 용량, 저전압과 고대역폭의 성능으로 고성능 컴퓨팅(HPC)에 특화된 초고속 메모리 삼성 HBM(High Bandwidth Memory) 솔루션의 다양한 제품을 만나보세요.
HBM | DRAM | サムスン半導体日本 - Samsung Semiconductor …
幅広い容量、低電圧、高帯域幅のパフォーマンスで、ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)に特化した超高速メモリ、サムスンのHBM(High Bandwidth Memory)ソリュー …
HBM2 Flarebolt | DRAM | 仕様と性能 | サムスン半導体日本
HBM2 Flareboltは、小型フォームファクタ内で高帯域幅、高速データ転送、高性能グラフィック作業をサポートする革新的なメモリー製品です。
HBM3 Icebolt | DRAM - Samsung Semiconductor Global
HBM3 Icebolt stacks 12 layers of 10nm-class 16 Gb DRAM dies for 24GB of memory - an astonishing 1.5 times more than our previous generation. The latest solution lets you go deep …
HBM3 Icebolt | DRAM | 仕様と機能 | サムスン半導体日本
驚異的な高速DRAMを12層積み重ねたHBM3 Iceboltは、最高速、最高効率、最大容量の高帯域幅メモリです。 現在の基準を超越しているので、今後起き得る技術的課題に対応できます。
HBM3 Icebolt | DRAM | 성능 및 스펙 | 삼성반도체
데이터센터의 효율을 극대화하는 HBM 메모리를 통해 데이터의 활용도를 한 차원 끌어올리십시오. HBM3 Icebolt는 10nm대 공정으로 제작된 16 Gb DRAM 다이를 최대 12개 적층하여 이전 세대 …
HBM2 Aquabolt | DRAM | Samsung Semiconductor Global
Experience the fastest data transmission speed for DRAM performance with HBM2 Aquabolt while reducing power consumption and safeguarding error and data loss.
삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발 | 삼성반도체
삼성전자가 업계 최초로 36gb(기가바이트) hbm3e(5세대 hbm) 12h(high, 12단 적층) d램 개발에 성공하고 고용량 hbm 시장 선점에 나선다.
Samsung Develops Industry-First 36GB HBM3E 12H DRAM
SEOUL, Korea – Feb 27, 2024 – Samsung Electronics Co., Ltd., a world leader in advanced memory technology, today announced that it has developed HBM3E 12H, the industry’s first …